[发明专利]B-C-N三元化合物及其制备方法无效
| 申请号： | 200910154290.4 | 申请日： | 2009-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN101700889A | 公开（公告）日： | 2010-05-05 |
| 发明（设计）人： | 诸葛飞;李润伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | C01B35/14 | 分类号： | C01B35/14 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种B-C-N三元化合物，其化学式为B4CN4，为具有乱层结构的黑色粉末，层间距为至禁带宽度为3.5eV至4.5eV，是一种宽带隙半导体材料，并且带隙对应于紫外光区，以该化合物为原材料可以制备紫外发光器件。本发明还公开了其制备方法，包括步骤：在1500℃至2000℃的温度下，将碳化硼粉末和氮气反应2小时至48小时，即制得B4CN4化合物。该方法简单易行，方便大量制备，不论用于科学研究还是产业化，都具有很大的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 三元 化合物 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种B-C-N三元化合物，其特征在于，化学式为B4CN4。
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