[发明专利]单晶/多晶硅片的清洗方法

摘要

本发明公开了一种单晶/多晶硅片的清洗方法，包括以下步骤：硅片先浸入去离子水中在超声波作用下进行粗洗；然后移入无机碱稀溶液中浸泡；接着浸入去离子水中在超声波作用下进行清洗；接着浸入流动的无机碱溶液中，在超声波作用下进行碱洗；接着浸入流动的去离子水中，在超声波作用下进行再次清洗；接着再次浸入流动的去离子水中，室温中在超声波作用下进行漂洗；最后将硅片进行干燥处理。采用本发明方法清洗后所得的单晶/多晶硅片表面洁净度高。

主权项

一种单晶/多晶硅片的清洗方法，其特征是包括以下步骤：1)、粗洗：将硅片放入PFA花篮内，于室温中将载有硅片的PFA花篮浸入去离子水中在超声波作用下进行粗洗；超声波频率为20～100KHz，粗洗时间为2～20分钟；2)、浸泡：室温中将上述载有粗洗后硅片的PFA花篮移入无机碱稀溶液中浸泡，浸泡时间为2～30分钟；3)、清洗：室温中将上述载有浸泡后硅片的PFA花篮浸入去离子水中在超声波作用下进行清洗；超声波频率为20～100KHz，清洗时间为2～20分钟；4)、碱洗：将上述载有清洗后硅片的PFA花篮浸入流动的无机碱溶液中，在超声波作用下进行碱洗；超声波频率为20～100KHz，清洗时间为3～20分钟，清洗温度为30～85℃；5)、再次清洗：将上述载有碱洗后硅片的洗篮浸入流动的去离子水中，在超声波作用下进行再次清洗；超声波频率为20～100KHz，清洗时间为2～20分钟，清洗温度为0～25℃；6)纯水漂洗：将上述载有再次清洗后硅片的PFA花篮浸入流动的去离子水中，室温中在超声波作用下进行漂洗；超声波频率为20～100KHz，清洗时间为2～20分钟；7)、干燥：将上述纯水漂洗后的硅片进行干燥处理。