[发明专利]透明导电膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200910154979.7 | 申请日： | 2009-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN101714416A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 叶志镇;龚丽;吕建国 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00;B32B9/04;C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的透明导电膜，在有机聚合物衬底上依次沉积有起缓冲作用的未掺杂的n型ZnO薄膜和Ga掺杂的n型ZnMgO薄膜。采用磁控溅射法制备，方法简单，本发明的透明导电膜电学性能优异，方块电阻为5～10Ω/sq。具有质量轻、可折叠、不易碎、易于大面积生产、便于运输及成本低等优点，可应用于制造柔性发光器件、塑料液晶显示器和柔性衬底非晶硅太阳能电池，可用作透明电磁屏蔽及触敏覆盖层等，还可作为透明隔热保温材料用于塑料大棚。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
透明导电膜，其特征是在衬底(1)上依次沉积有起缓冲作用的ZnO膜层(2)、和ZnMgO膜层(3)，衬底是有机聚合物，起缓冲作用的ZnO膜层是未掺杂的n型ZnO薄膜，ZnMgO膜层是掺Ga的n型ZnMgO薄膜。
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