[发明专利]一种n型纳米金刚石薄膜及制备方法有效
| 申请号： | 200910155306.3 | 申请日： | 2009-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN101717913A | 公开（公告）日： | 2010-06-02 |
| 发明（设计）人： | 胡晓君 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/48;C23C14/58 |
| 代理公司： | 杭州天正专利事务所有限公司 33201 | 代理人： | 黄美娟;冷红梅 |
| 地址： | 310014 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种n型纳米金刚石薄膜及制备方法：采用离子注入方法，在纳米金刚石薄膜中注入施主杂质离子，然后对薄膜进行真空退火，即得所述n型纳米金刚石薄膜。本发明使用离子注入方法完成掺杂步骤，使注入剂量为1014～1016cm-2的磷离子或氧离子掺入到纳米金刚石晶粒和晶界中，避免了在化学气相沉积掺杂过程中杂质集中在晶界而不能进入到金刚石晶粒中的缺点；在700～1000℃下真空退火后，获得电阻率较低、Hall迁移率较高的n型纳米金刚石薄膜，对实现其在半导体器件、场致发射显示器、电化学等领域的应用具有十分重要的科学意义和工程价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 金刚石 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种n型纳米金刚石薄膜的制备方法，包括：(1)在单晶硅衬底上制备纳米金刚石薄膜；(2)采用离子注入方法，在纳米金刚石薄膜中注入施主杂质离子；(3)将离子注入后的薄膜真空退火，即得所述n型纳米金刚石薄膜。
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