[发明专利]具有自适应控制的多层非易失性存储器有效
| 申请号： | 200910158752.X | 申请日： | 2009-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN101625896A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 金杜坤;朴起台;姜明坤 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C29/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 钱大勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种多层非易失性半导体存储器的自适应控制的方法和设备，该设备包括：多个存储单元，被组织成多个组；和控制电路，具有查找矩阵，用于提供该多个组的每一个的控制参数，其中每个组的特征被存储在该查找矩阵中，以及每个组的控制参数对应于所存储的该组的特征；该方法包括：将多个存储单元组织成多个组；将每个组的特征存储在查找矩阵中；提供多个组的每一个的控制参数，其中每个组的控制参数对应于它的存储的特征；以及根据它的提供的控制参数驱动每个存储单元。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 自适应 控制 多层 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
1.一种存储设备，包括：多个存储单元，被组织成多个组；和控制电路，具有查找矩阵，用于为该多个组的每一个提供控制参数，其中每个组的特征被存储在该查找矩阵中，以及每个组的控制参数对应于所存储的该组的特征。
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