[发明专利]一种高纯多晶硅的生产方法及生产装备有效
申请号: | 200910158901.2 | 申请日: | 2009-07-03 |
公开(公告)号: | CN101602506A | 公开(公告)日: | 2009-12-16 |
发明(设计)人: | 张洪平;王冬 | 申请(专利权)人: | 锦州市三特真空冶金技术工业有限公司 |
主分类号: | C01B33/037 | 分类号: | C01B33/037;C30B29/06 |
代理公司: | 北京邦信阳专利商标代理有限公司 | 代理人: | 黄泽雄;刘东方 |
地址: | 121003辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明涉及一种高纯多晶硅的生产方法以及利用该生产方法生产高纯多晶硅的生产装备,其中所述的生产方法包括如下步骤:硅料准备、熔炼包装料、硅料熔炼、除渣、熔融硅精炼、硅液挡渣浇铸、硅液真空脱气与定向凝固、硅锭出炉和去皮切割,其中,所述硅料准备步骤中所使用的硅料为冶金级还原硅,在所述硅料熔炼步骤中采用的加热方式包括化学燃烧加热。所述生产装备包括至少三个以上相同的用于熔炼包或精炼包的包结构,其中一个包用于熔炼操作中,一个包用于精炼操作中,一个包用于修补、预热或装料操作中。采用本发明的生产方法和装备,可以大规模、低成本地生产高纯多晶硅。 | ||
搜索关键词: | 一种 高纯 多晶 生产 方法 装备 | ||
【主权项】:
1、一种高纯多晶硅的生产方法,所述的生产方法包括如下步骤:硅料准备、熔炼包装料、硅料熔炼、除渣、熔融硅精炼、硅液挡渣浇铸、硅液真空脱气与定向凝固、硅锭出炉和去皮切割,其中,所述硅料准备步骤中所使用的硅料为冶金级还原硅,在所述硅料熔炼步骤中采用的加热方式包括化学燃烧加热。
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