[发明专利]薄膜晶体管阵列及其制造方法有效
| 申请号： | 200910159196.8 | 申请日： | 2009-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN101604104A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 黄彦衡;林惠芬;陈宗凯;白佳蕙;洪桂彬 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管阵列包含基板、薄膜晶体管、第一挡墙、透明电极与色阻；薄膜晶体管位于基板上；第一挡墙位于基板上，并在基板上至少区隔出第一贯穿孔与像素区，第一贯穿孔暴露出薄膜晶体管的漏极；第一挡墙包含面向第一贯穿孔的第一侧壁与面向像素区的第二侧壁，其中第一侧壁的坡度较第二侧壁的坡度缓；透明电极通过第一贯穿孔，电性连接薄膜晶体管的漏极；色阻填充于像素区中。本发明提供的薄膜晶体管阵列及其制造方法中的挡墙能提供至少两种不同坡度的侧壁，以适应贯穿孔与像素区不同的需要。较佳地，贯穿孔的侧壁坡度较像素区的侧壁坡度缓为范例，以使得色阻不溢流出而改善成品率上的问题，更使得透明电极覆盖于贯穿孔时，不易产生断线的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管阵列，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列包含：一基板；至少一薄膜晶体管，位于所述基板上；一第一挡墙，位于所述基板上，并在所述基板上至少区隔出一第一贯穿孔与一像素区，其中所述第一贯穿孔暴露出所述薄膜晶体管的一漏极，且所述第一挡墙包含：至少一第一侧壁，面向所述第一贯穿孔；以及至少一第二侧壁，面向所述像素区，其中所述第一侧壁的坡度较所述第二侧壁的坡度缓；一透明电极，通过所述第一贯穿孔，电性连接所述薄膜晶体管的所述漏极；以及一色阻，填充于所述像素区中。
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