[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910159435.X | 申请日： | 2005-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN101667538A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 田中幸一郎;矶部敦生;山本良明 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/20;H01L21/336;B23K26/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 林毅斌;李家麟 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的目的是提供激光照射设备和方法，其能够减小微晶区在整个被照射区中的比例并能够用激光束均匀地照射半导体膜。通过狭缝阻挡从激光振荡器发射的激光束的低强度部分，该激光束被镜片偏转，用两个凸柱镜将激光束整形成所需的尺寸。然后，向照射表面提供激光束。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在基板上形成半导体膜；借助通过狭缝从发射自激光振荡器的第一激光束产生第二激光束；使用聚光透镜从所述第二激光束产生第三激光束；用所述第三激光束照射所述半导体膜；以及相对于所述半导体膜移动所述第三激光束。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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