[发明专利]太阳能电池及其制造方法无效
| 申请号： | 200910159777.1 | 申请日： | 2009-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101630704A | 公开（公告）日： | 2010-01-20 |
| 发明（设计）人： | 朴敏;吴旼锡;申明勋;李昌昊;李秉奎;南毓铉;郑胜在;林美花;徐晙荣 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/042;H01L31/075;H01L31/0232 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张 波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种太阳能电池及其制造方法。该制造方法包括：在基板上沉积透明导电层；图案化透明导电层；形成半导体层，该半导体层沉积在所图案化的透明导电层上；图案化半导体层；将金属粉涂覆在图案化的半导体层上；在涂覆有金属粉的半导体层上形成后电极层；以及图案化后电极层和半导体层。该方法可用于制造具有改良的光吸收效率的太阳能电池， | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造太阳能电池的方法，包括：在基板上沉积透明导电层；图案化所述透明导电层；形成半导体层，所述半导体层沉积在图案化的所述透明导电层上；图案化所述半导体层；在图案化所述半导体层之后，用金属粉涂覆图案化的所述半导体层；在涂覆有所述金属粉的所述半导体层上形成后电极层；以及图案化所述后电极层和所述半导体层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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