[发明专利]基板接合方法和电子部件有效
| 申请号： | 200910159812.X | 申请日： | 2009-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN101628705A | 公开（公告）日： | 2010-01-20 |
| 发明（设计）人： | 塩崎真良;森口诚 | 申请（专利权）人： | 欧姆龙株式会社 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00;H01L21/50;H01L21/603;B81C5/00;H01L21/78;B81B7/02;H01L25/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁香兰 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及基板接合方法和电子部件。本发明提供一种晶片级接合方法，该方法能够利用较低温的工艺形成平滑的SiO2膜，并能够通过平滑的SiO2膜使晶片之间可靠地接合起来。利用以TEOS为原材料的等离子体CVD法，在晶片(11)的接合面上形成绝缘密封部(13)。在晶片(21)的电极(23)上设置Au突起电极(26)。将晶片(11)、(21)纵向集成，使晶片(21)的Au突起电极(26)与晶片(11)的电极(14)压接以使电极(23)、(14)之间电连接，同时将绝缘密封部(13)常温接合在晶片(21)的接合面上，从而形成一体。 | ||
| 搜索关键词： | 接合 方法 电子 部件 | ||
【主权项】：
1.一种基板接合方法，该方法具有成膜工序和接合工序，在所述成膜工序中，通过利用以TEOS为原材料的CVD法使SiO2膜沉积在第1基板和第2基板之中的至少一方基板上，形成接合用绝缘膜；在所述接合工序中，通过所述接合用绝缘膜使所述第1基板和所述第2基板接合。
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