[发明专利]掺杂有较衬底原子扩散速度更慢原子的隔离层的半导体器件有效
| 申请号： | 200910159862.8 | 申请日： | 2005-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN101645460A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 王琪;安伯·克雷林-恩戈;侯赛因·帕拉维 | 申请（专利权）人： | 仙童半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 缪利明 |
| 地址： | 美国缅因*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括一重掺杂磷的硅衬底；一位于所述衬底上的隔离层，该隔离层用扩散系数小于硅衬底中磷的扩散系数的掺杂剂原子掺杂；一位于所述衬底上的外延层；以及一位于所述衬底上的器件层，且位于所述外延层及隔离层上。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 衬底 原子 扩散 速度 隔离 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其特征在于，包括：第一导电型(conductivity type)的第一源区和第二源区，所述第一源区和所述第二源区从第一硅外延层的上表面向下延伸进入所述第一硅外延层；一沿着介质层排列的栅极沟槽，并于所述第一源区和所述第二源区之间填满栅极导电材料；第二导电型的第一阱区和第二阱区，所述第一阱区和所述第二阱区与所述第一源区和所述第二源区连接并分别向下延伸以远离所述第一源区和所述第二源区，并被栅极沟槽分离；第一导电型的漂移区，所述漂移区与所述第一阱区和所述第二阱区连接并向下延伸以远离所述第一阱区和所述第二阱区，其中，所述栅极沟槽，所述第一阱区，所述第二阱区和所述漂移区定位在所述第一硅外延层上；第一导电型的隔离层，所述隔离层与所述漂移区连接并向下延伸以远离所述漂移区，所述隔离层定位在所述第二硅外延层上；第一导电型的硅衬底，所述硅衬底与所述隔离层和所述第二硅外延层连接；其中，所述衬底用磷重掺杂，所述隔离层用掺杂剂掺杂，所述掺杂剂的扩散系数小于硅中磷的扩散系数且所述掺杂剂的浓度低于所述衬底的掺杂剂的浓度，所述漂移区的掺杂剂浓度低于所述隔离区的掺杂剂浓度。
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