[发明专利]用于半导体晶片制造工艺的晶片承载装置及加热器有效
| 申请号： | 200910160323.6 | 申请日： | 2009-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN101645410A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 余振华;黄见翎 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供一种用于半导体晶片制造工艺的晶片承载装置及加热器，该晶片承载装置包括导热层，设置于支撑基座上，导热层耦接至加热电路；多个孔洞，穿过导热层及支撑基座；以及多个导热支撑杆，耦接至加热电路且延伸穿过孔洞并超出导热层，每一导热支撑杆具有顶端，用以与晶片直接接触。本发明能够使晶片在制造过程中保持基底温度均匀一致，不会造成弓起或弯曲现象产生，提高产品良率及降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 晶片 制造 工艺 承载 装置 加热器 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体晶片制造工艺的晶片承载装置，包括：一导热层，设置于一支撑基座上，该导热层耦接至一加热电路；多个孔洞，穿过该导热层及该支撑基座；以及多个导热支撑杆，耦接至该加热电路且延伸穿过该孔洞并超出该导热层，每一所述导热支撑杆具有一顶端，用以与一晶片直接接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910160323.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置
- 下一篇：配备有内置电子控制电路的电磁开关
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
