[发明专利]等离子体滤筛装置、等离子体滤筛方法及其等离子体设备无效
| 申请号： | 200910160471.8 | 申请日： | 2009-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101964301A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 陈庆昌 | 申请（专利权）人： | 陈庆昌 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H05H1/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种等离子体滤筛装置、等离子体滤筛方法及其等离子体设备，该等离子体滤筛装置包括：一滤筛结构体，其具有多个孔洞，其中该滤筛结构体包含：导体结构与绝缘结构，以及一控制电路系统，其耦接于该导体结构；更含有旁侧磁力模块。通过应用上述等离子体滤筛装置于等离子体反应室(PlasmaChamber)设备中，等离子体滤筛装置可对离子(含质子)与电子的数量与能量的控制与筛选，以达到工艺的最佳化。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 装置 方法 及其 设备 | ||
【主权项】：
一种等离子体滤筛装置，其特征在于，包括：一滤筛结构体，其具有多个孔洞，其中该滤筛结构体包含：一导体结构与一绝缘结构；以及一控制电路系统，其耦接于该导体结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陈庆昌，未经陈庆昌许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910160471.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：形成焊接凸块的方法
- 下一篇：一种阻抗匹配方法及等离子体处理设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
