[发明专利]非易失性半导体器件和包括该器件的存储器系统无效
| 申请号： | 200910160933.6 | 申请日： | 2009-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101635171A | 公开（公告）日： | 2010-01-27 |
| 发明（设计）人： | 吴东妍;李云京 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C7/00;H01L27/115;H01L23/52 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆锦华 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性半导体器件和包括该器件的存储器系统。该非易失性半导体存储器件包括垂直阵列结构，该垂直阵列结构包括位线和在与位线相同的方向上布置的源线，每个源线对应于位线，以及在每个位线和源线对之间垂直形成的存储器单元串。多个存储器单元串可以在垂直方向上堆叠，并且相邻的存储器单元串可以共享位线或源线。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体器件 包括 器件 存储器 系统 | ||
【主权项】：
1.一种垂直阵列存储器结构，包括：多个位线；多个源线，对应于所述多个位线，布置在与所述位线相同的方向上；以及存储器单元串，形成在每个所述位线和源线对之间。
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