[发明专利]光电转换器和光电转换元件无效
申请号: | 200910161048.X | 申请日: | 2009-08-05 |
公开(公告)号: | CN101645454A | 公开(公告)日: | 2010-02-10 |
发明(设计)人: | 村田昌树 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30;H01L27/144;H01L51/42;H01L31/10 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 陈桂香;武玉琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了光电转换器和光电转换元件。所述光电转换器包括光电转换元件和用来检测电流变化的电流检测电路,所述光电转换元件包括分开设置的第一电极和第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的光电转换材料层,并且在所述光电转换元件中,当在所述第一电极与所述第二电极之间施加电压的同时向所述光电转换材料层施加恒定光量时,所述光电转换材料层中产生的电流随着施加时间而改变。本发明的光电转换元件具有高灵敏度和高S/N比的光电转换材料层。 | ||
搜索关键词: | 光电 转换器 转换 元件 | ||
【主权项】:
1.一种光电转换器,其包括a)光电转换元件和b)用来检测电流变化的电流检测电路,所述光电转换元件包括:a-1)分开设置的第一电极和第二电极;以及a-2)设置在所述第一电极与所述第二电极之间的光电转换材料层,并且在所述光电转换元件中,在所述第一电极与所述第二电极之间施加电压的同时向所述光电转换材料层施加恒定光量时,所述光电转换材料层中产生的电流随着施加时间而变化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的