[发明专利]切割/芯片接合薄膜有效
| 申请号： | 200910161129.X | 申请日： | 2009-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN101645427A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 神谷克彦;松村健;村田修平;大竹宏尚 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/48;H01L21/78;H01L21/50;C09J133/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供切割时的半导体晶片的保持力与拾取时的剥离性的平衡特性优良的切割/芯片接合薄膜。本发明涉及一种切割/芯片接合薄膜，具有在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和在该粘合剂层上设置的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层由丙烯酸类粘合剂形成，所述丙烯酸类粘合剂由丙烯酸类聚合物和相对于所述丙烯酸类聚合物100重量份的比例在10～60重量份的范围内的分子内具有2个以上自由基反应性碳碳双键的化合物构成，所述丙烯酸类聚合物由丙烯酸酯、相对于丙烯酸酯100摩尔％的比例在10～40摩尔％范围内的含羟基单体和相对于含羟基单体100摩尔％的比例在70～90摩尔％范围内的分子内具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物构成，所述芯片接合薄膜由环氧树脂形成，并且层压在所述粘合剂层上。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 芯片 接合 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种切割/芯片接合薄膜，具有在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和在该粘合剂层上设置的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层由丙烯酸类粘合剂形成，所述丙烯酸类粘合剂由丙烯酸类聚合物和相对于所述丙烯酸类聚合物100重量份的比例在10～60重量份的范围内的分子内具有2个以上自由基反应性碳碳双键的化合物构成，所述丙烯酸类聚合物由丙烯酸酯、相对于丙烯酸酯100摩尔％的比例在10～40摩尔％范围内的含羟基单体和相对于含羟基单体100摩尔％的比例在70～90摩尔％范围内的分子内具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物构成，所述芯片接合薄膜由环氧树脂形成，并且层压在所述粘合剂层上。
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