[发明专利]半导体器件及其制造方法、层离方法、以及转移方法

摘要

本申请为半导体器件及其制造方法、层离方法、以及转移方法。试验了一种用来在典型为柔性塑料膜的具有柔性的衬底上制作TFT元件的技术。当结构中用光阻挡层或反射层来防止对层离层的损伤时，难以制造透射型液晶显示器件或向下发光的发光器件。在金属膜形成在衬底上的状态下，用物理方法或机械方法分离了衬底与层离膜，且提供了包含包括金属的氧化物膜的层离层和形成在金属膜上的包含硅的膜。具体地说，制作了一种TFT，此TFT借助于在金属膜上形成包括金属的氧化物层；用热处理方法晶化氧化物层；以及在氧化物层中或在氧化物层的二个界面处进行分离而得到。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包含以下步骤：在衬底上形成包含钨的膜；在所述包含钨的膜上形成包含半导体元件与氧化物膜的层离层，因而形成插入在所述氧化物膜与所述包含钨的膜之间的包含钨氧化物的氧化物层；执行热处理，因而改变所述氧化物层中所述钨氧化物的成分；以及将所述层离层与所述包含钨的膜分离，其中，所述半导体元件提供在所述氧化物膜上，以及其中，所述分离出现在所述氧化物层中或在所述氧化物层与所述包含钨的膜之间的界面处。