[发明专利]有机薄膜晶体管、其制造方法和电子装置无效

专利信息
申请号: 200910161731.3 申请日: 2009-08-07
公开(公告)号: CN101645488A 公开(公告)日: 2010-02-10
发明(设计)人: 野本和正;米屋伸英;大江贵裕 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: H01L51/05 分类号: H01L51/05;H01L51/10;H01L51/40;H01L27/32
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 代理人: 陈桂香;武玉琴
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开了有机薄膜晶体管、其制造方法和电子装置,所述有机薄膜晶体管包括:由有机绝缘层形成的基板;通过使用镀膜技术在所述基板上沉积的第一层,所述第一层用于形成源极电极和漏极电极;也通过使用镀膜技术而沉积的覆盖所述第一层且由金属材料构成的第二层,所述第二层用于形成所述源极电极和所述漏极电极,所述第二层的金属材料与所述第一层相比能够与有机半导体材料形成更低的欧姆接触;以及在各自都用所述第一层和所述第二层形成的所述源极电极与所述漏极电极之间的区域上方形成的有机半导体层。本发明公开的电子装置中设置有上述有机薄膜晶体管。因此,本发明能够实现优良的器件特性和低的生产成本。
搜索关键词: 有机 薄膜晶体管 制造 方法 电子 装置
【主权项】:
1.一种有机薄膜晶体管,其包括:有机绝缘层;通过使用镀膜技术在所述有机绝缘层上沉积的第一层,所述第一层用于形成源极电极和漏极电极;也通过使用镀膜技术而沉积的覆盖所述第一层且由金属材料构成的第二层,所述第二层用于形成所述源极电极和所述漏极电极,所述第二层的金属材料与所述第一层相比能够与有机半导体材料形成更低的欧姆接触;以及由所述有机半导体材料构成的有机半导体层,所述有机半导体层被形成在各自都用所述第一层和所述第二层形成的所述源极电极与所述漏极电极之间的区域上方。
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