[发明专利]同轴线低通滤波器及其幅频特性改善的方法有效
申请号: | 200910161789.8 | 申请日: | 2009-08-25 |
公开(公告)号: | CN101630765A | 公开(公告)日: | 2010-01-20 |
发明(设计)人: | 蔡丹涛 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H01P1/202 | 分类号: | H01P1/202;H01P1/203 |
代理公司: | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 彭愿洁;李文红 |
地址: | 518129广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种同轴线低通滤波器,该同轴线低通滤波器的至少两低阻抗线段相互靠近至预定距离,该同轴线低通滤波器包括:耦合模块,设置在相互靠近至预定距离的所述两低阻抗线段之间,在所述两低阻抗线段之间产生耦合电容,该耦合电容与所述两低阻抗线段之间的高阻抗线段等效的电感构成谐振回路;所述谐振回路的谐振频率高于该低通滤波器的低通截止频率。本发明还提供了相应的改善同轴线低通滤波器幅频特性的方法。根据本发明在高于该低通滤波器低通截止频率的高频段产生传输零点,改善了同轴线低通滤波器幅频特性,得到更好的滤波性能。 | ||
搜索关键词: | 同轴线 滤波器 及其 特性 改善 方法 | ||
【主权项】:
1、一种同轴线低通滤波器,其特征在于,该同轴线低通滤波器的至少两低阻抗线段相互靠近至预定距离,包括:耦合模块,设置在相互靠近至预定距离的所述两低阻抗线段之间,在所述两低阻抗线段之间产生耦合电容,该耦合电容与所述两低阻抗线段之间的高阻抗线段等效的电感构成谐振回路;所述谐振回路的谐振频率高于该低通滤波器的低通截止频率。
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