[发明专利]纳米图形化中凸起效应的去除有效
| 申请号： | 200910161803.4 | 申请日： | 2009-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101638219A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 申采浩;田仁秀;金廷九 | 申请（专利权）人： | 首尔大学校产学协力团 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82B1/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及纳米图形化中凸起效应的去除，并且提供了一种不具有凸起的纳米结构和制造所述纳米结构的方法。所述方法包括：在聚合物表面上形成纳米图形，使具有纳米图形的聚合物表面与预定溶剂接触，和向与溶剂接触的聚合物的表面施加外部刺激以去除纳米图形形成过程中在纳米图形周围形成的凸起。因此，可以以低成本和简单的方式，去除形成有纳米图形的纳米结构中的凸起。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 图形 凸起 效应 去除 | ||
【主权项】：
1.一种制造纳米结构的方法，所述方法包括：在聚合物的表面上形成纳米图形；使具有所述纳米图形的所述聚合物的所述表面与溶剂接触；和向与所述溶剂接触的所述聚合物的所述表面施加外部刺激，以去除所述纳米图形周围的凸起。
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