[发明专利]半导体器件、含该半导体器件的半导体封装及其制造方法无效
| 申请号： | 200910162143.1 | 申请日： | 2009-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN101645443A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 金维植 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L21/60;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张 波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件、具有该半导体器件的半导体封装及其制造方法，该半导体器件包括：第一发光芯片，该第一发光芯片具有第一半导体层、第二半导体层以及设置在第一半导体层和第二半导体层之间的第一有源层；设置在第一发光芯片上的第二发光芯片，该第二发光芯片具有第三半导体层、第四半导体层以及设置在第三半导体层和第四半导体层之间的第二有源层；和设置在第一半导体层和第四半导体层之间的导电层，第一半导体层和第四半导体层具有不同的导电类型。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一发光芯片，该第一发光芯片具有第一半导体层、第二半导体层以及设置在第一半导体层和第二半导体层之间的第一有源层；设置在所述第一发光芯片上的第二发光芯片，该第二发光芯片具有第三半导体层、第四半导体层以及设置在第三半导体层和第四半导体层之间的第二有源层；和导电层，设置在所述第一半导体层和所述第四半导体层之间，所述第一半导体层和所述第四半导体层具有不同的导电类型。
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