[发明专利]玻璃钝化硅晶圆的背面激光切割方法有效
| 申请号： | 200910162147.X | 申请日： | 2009-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN101621026A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 李轶;赵宇;闵大勇;卢飞星 | 申请（专利权）人： | 武汉华工激光工程有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/302;H01L21/02;B28D5/00;B23K26/38 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐乐慧 |
| 地址： | 430223湖北省武汉市东湖高新*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种玻璃钝化硅晶圆的背面激光切割方法，用于对玻璃钝化硅晶圆进行切割，该方法包括有如下步骤：在玻璃钝化硅晶圆背面制作与玻璃钝化硅晶圆正面的沟槽位置一一对应的定位切割道，使用激光沿玻璃钝化硅晶圆背面的定位切割道进行切割，以及分离芯片晶粒。借由本发明中的背面激光切割方法，可以提高玻璃钝化硅晶圆器件的电学性能，并且切割速度快，无崩碎现象。 | ||
| 搜索关键词： | 玻璃 钝化 硅晶圆 背面 激光 切割 方法 | ||
【主权项】：
1、一种玻璃钝化硅晶圆的背面激光切割方法，其特征在于，所述激光切割方法包括有如下步骤：1)在所述玻璃钝化硅晶圆背面制作与所述玻璃钝化硅晶圆正面的沟槽位置一一对应的定位切割道，2)使用激光沿玻璃钝化硅晶圆背面的定位切割道进行切割，3)分离芯片晶粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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