[发明专利]用于低温离子注入的方法和系统有效
| 申请号： | 200910162396.9 | 申请日： | 2009-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN101781797A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 张钧琳;魏正泉;吴欣贤 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B31/22 | 分类号： | C30B31/22;H01L21/265;H01L21/425 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 马佑平;马铁良 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种方法，包括：在工艺室之外将第一半导体晶片从15℃或以上的温度预冷却到5℃以下的温度。该预冷却的第一晶片在进行预冷却步骤之后被置于工艺室之内。在放置第一晶片之后在第一晶片上进行低温离子注入。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 低温 离子 注入 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种方法，包括以下步骤：(a)在工艺室之外将第一半导体晶片从15℃或以上的温度预冷却到5℃以下的温度；(b)在步骤(a)之后将所述预冷却的第一晶片置于所述工艺室之内；以及(c)在步骤(b)之后在所述第一晶片上进行低温离子注入。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910162396.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
