[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 200910163583.9 | 申请日： | 2009-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101661903A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 李启弘;陈柏年;费中豪;陈建良;杨文志;庄学理 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/28;H01L27/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件及其制作方法。制作方法包括以下步骤：提供一具有一第一区域与一第二区域的半导体基材；形成一高介电常数层位于该半导体基材之上；形成一盖层位于该高介电常数层之上；形成一金属层位于该盖层之上；移除位于该第二区域的金属层与盖层；形成一多晶硅层位于该第一区域的金属层之上，且位于该第二区域的高介电常数层之上；以及于该第一区域中形成一含有该金属层的有源元件，且于该第二区域中形成不含有该金属层的无源元件。本发明提供的半导体元件及其制作方法，能够解决在整合高介电常数栅极介电层/金属栅极电极于CMOS工艺时产生的材料之间不相容、复杂的工艺、以及热预算等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件的制作方法，包括以下步骤：提供一具有一第一区域与一第二区域的半导体基材；形成一高介电常数层于该半导体基材之上；形成一盖层于该高介电常数层之上；形成一金属层于该盖层之上；移除位于该第二区域的金属层与盖层；形成一多晶硅层于该第一区域的金属层之上，与于该第二区域的高介电常数层之上；以及于该第一区域中形成一含有该金属层的有源元件，且于该第二区域中形成不含有该金属层的无源元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
