[发明专利]发光二极管装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200910163586.2 | 申请日： | 2009-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101667614A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 余振华;余佳霖;陈鼎元;邱文智;林宏远 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管装置及其制造方法。上述发光二极管装置形成于一基板上，其具有一含碳层。于上述基板中导入碳原子以避免或降低其上的金属/金属合金过渡层的原子与上述基板的原子混合。上述方法使形成于其上的上述发光二极管结构能维持一结晶结构。本发明提供一种避免和降低金属原子和硅原子的混合的发光二极管装置及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管装置，包括：一半导体基板，其具有位于一第一侧的一含碳层；以及一发光二极管结构，形成于该半导体基板的该第一侧上。
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