[发明专利]发光装置的制造方法有效
申请号: | 200910163880.3 | 申请日: | 2003-11-05 |
公开(公告)号: | CN101694871A | 公开(公告)日: | 2010-04-14 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;村上雅一;野村亮二;濑尾哲史 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;B05B13/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 何欣亭;李家麟 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明是一种发光装置的制造方法,其特征在于,在减压下将含有发光性材料的溶液朝向阳极或阴极喷射,在上述溶液到达上述阳极或阴极期间,使上述溶液中的溶媒挥发,同时使残存的上述发光性材料在上述阳极或阴极上堆积,形成发光层。利用本发明,在喷涂溶液后不需要用于形成薄膜的焙烧工序,因此,能够提供一种以低成本并且简便的方法实现高生产能力的制造方法。 | ||
搜索关键词: | 发光 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种发光装置的制造方法,包括:在低于大气压的压力下,将含有发光材料的溶液朝向阳极或阴极喷射,其中,所述喷射步骤通过喷墨法进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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