[发明专利]供各向同性铜蚀刻的蚀刻调配物有效
| 申请号： | 200910164003.8 | 申请日： | 2009-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN101988198A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 史蒂文·T·迈尔;埃里克·韦布 | 申请（专利权）人： | 诺发系统有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/14 | 分类号： | C23F1/14;C23F1/34 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种供各向同性蚀刻铜的调配物包括包含以下各物的水溶液：(a)二齿、三齿或四齿络合剂，其选自由二胺、三胺和四胺组成的群组；和(b)氧化剂，其中所述溶液的pH值介于约5与12之间。在一个实施例中，所述蚀刻溶液包含乙二胺(EDA)和过氧化氢，pH值介于约6与10之间。所提供的溶液能在不导致铜层表面实质粗糙化的情况下高速(例如，至少约1,000埃/分钟)蚀刻铜。所述调配物尤其适用于从部分制成的半导体装置去除铜，例如蚀刻铜覆盖层。 | ||
| 搜索关键词： | 各向同性 蚀刻 调配 | ||
【主权项】：
一种湿法蚀刻调配物，其包含水溶液，所述溶液包含：(a)二齿、三齿或四齿络合剂，其选自由二胺、三胺和四胺组成的群组；和(b)氧化剂，其中所述蚀刻溶液的pH值介于约7与10.5之间，并且其中所述蚀刻调配物能够各向同性蚀刻铜，以致所蚀刻铜表面的反射率每1,000埃所蚀刻铜降低不超过15％。
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