[发明专利]用于在沟槽下形成PN嵌位区的结构和方法

摘要

本发明公开了一种用于在沟槽下形成PN嵌位区的结构和方法。按照如下方法来形成一种包括整流器的结构。沟槽被形成在第一导电类型的半导体区中。电介质层沿着沟槽的相对侧壁形成而沿着沟槽的底部是不连续的。掺杂衬层被形成在电介质层之上并沿着沟槽的底部。掺杂衬层包括第二导电类型的掺杂剂并直接与沿着沟槽的底部的半导体区相接触。掺杂剂的一部分被从掺杂衬层扩散到沿着沟槽的底部的半导体区中以形成掺杂区。该掺杂区与周围的半导体区形成PN结。

主权项

1.一种包括整流器的结构，所述结构包括：第一导电类型的半导体区；沟槽，延伸至所述半导体区；电介质层，衬于每个沟槽的相对侧壁，但是沿着每个沟槽的底部是不连续的；第二导电类型的硅区，沿着每个沟槽的底部延伸并与所述半导体区形成PN结，其中，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；掺杂衬层，衬于每个沟槽的底部和所述电介质层上，所述掺杂衬层与所述硅区直接接触；填充材料，填充每个沟槽；以及互连层，在所述半导体区上延伸并与所述掺杂衬层直接接触，其中，所述互连层与相邻沟槽之间的半导体区的台地表面相接触以在其间形成肖特基接触。