[发明专利]高密度反熔丝半导体存储器无效
| 申请号： | 200910164364.2 | 申请日： | 2009-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN101645450A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 李平;李威;谢小东;李文昌 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/41 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所 | 代理人： | 刘 勋 |
| 地址： | 610054四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 高密度反熔丝半导体存储器，涉及集成电路，特别涉及半导体存储器和可编程逻辑器件。本发明包括多个存储单元，每个存储单元由MOS管和存储电容构成，其特征在于，部分或者全部存储电容构成多个电容组；每个电容组由共用一个公共极板的3个或更多存储电容组成。本发明充分的利用了硅片的有限面积，提高了不挥发一次性可编程半导体存储器的密度。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 反熔丝 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1、高密度反熔丝半导体存储器，包括多个存储单元，每个存储单元由MOS管和存储电容构成，其特征在于，部分或者全部存储电容构成多个电容组；每个电容组由共用一个公共极板的3个或更多存储电容组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
