[发明专利]一种铜单晶的定向方法无效

专利信息
申请号: 200910164398.1 申请日: 2009-09-11
公开(公告)号: CN101659004A 公开(公告)日: 2010-03-03
发明(设计)人: 赵北君;朱世富;肖怀安;唐世红;何知宇;陈宝军 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: B23P17/04 分类号: B23P17/04
代理公司: 成都科海专利事务有限责任公司 代理人: 黄幼陵
地址: 610207四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 一种铜单晶的定向方法,步骤如下:(1)将铜单晶锭放入质量浓度35~45%的硝酸中浸蚀,浸蚀时间以铜单晶锭表面出现至少一组取向一致的反光面为限,以一组反光面为参考面,在铜单晶锭上磨出一个平行于所述参考面的平面,定义该平面为初平面;(2)用X射线衍射仪对铜单晶锭上的初平面进行X射线衍射θ-2θ联动扫描分析,将其X射线衍射谱图中最强峰对应的晶面指数(hkl)确定为定向晶面的晶面指数;(3)采用X射线衍射回摆法对铜单晶锭上的初平面进行修正,获法线平行于定向晶面(hkl)法线的最终修正面;(4)将所述最终修正面通过研磨与物理化学抛光去除表面的扰乱原子层,即获得准确定向的铜单晶晶面(hkl)。
搜索关键词: 一种 铜单晶 定向 方法
【主权项】:
1、一种铜单晶的定向方法,其特征在于步骤如下:(1)铜单晶锭的处理在常压、室温下将铜单晶锭放入质量浓度35~45%的硝酸溶液中浸蚀,浸蚀时间以铜单晶锭表面出现至少一组取向一致的反光面为限,然后将铜单晶锭从硝酸溶液中取出用碱性清洗剂终止浸蚀反应,再用纯净水清洗至中性并干燥,继后以一组反光面为参考面,在铜单晶锭上磨出一个平行于所述参考面的平面,定义该平面为初平面;(2)确定铜单晶定向晶面的晶面指数用X射线衍射仪对铜单晶锭上的初平面进行X射线衍射θ-2θ联动扫描分析,将其X射线衍射谱图中最强峰对应的晶面指数(hkl)确定为定向晶面的晶面指数;(3)采用X射线衍射回摆法对铜单晶锭上的初平面进行修正将铜单晶锭固定在载物台上,让铜单晶锭上的初平面位于样品台的衍射面位置,将X射线衍射仪的计数管固定于2θ角位置,然后转动样品台测定铜单晶锭上初平面的X射线衍射回摆谱,获得其X射线衍射回摆谱的峰值θa,根据Δθ=|θa-θc|计算出Δθ,式中,θc为定向晶面(hkl)的标准衍射峰值,根据计算出的Δθ对铜单晶锭上的初平面进行至少一次研磨修正,再将每次修正后的平面按上述方位放置、用上述方法测定其X射线衍射回摆谱,当Δθ=0则完成了第一轮修正,将上述修正后的铜单晶锭上的平面旋转90°放置在载物台上并固定,重复上述操作对其进行再一轮修正,当/Δθ再次=0时,获最终修正面,所述最终修正面的法线平行于定向晶面(hkl)的法线;(4)去除最终修正面表面的扰乱原子层将所述最终修正面通过研磨与物理化学抛光去除表面的扰乱原子层,即获得准确定向的铜单晶晶面(hkl)。
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