[发明专利]一种沟槽MOSFET

摘要

本发明公开了一种沟槽MOSFET结构与其制造方法，与现有技术中沟槽MOSFET源区的形成方法不同，该结构的源区是由在源体接触沟槽的开口处进行源区多数载流子的离子注入和扩散形成，使得源区多数载流子的浓度分布沿外延层表面方向从源体接触沟槽向沟道区呈现高斯分布，且源区的结深从源体接触沟槽向沟道区逐渐变浅。采用本发明的该结构的沟槽MOSFET器件具有较现有技术更好的雪崩击穿特性，并且相应地在制造过程中，本发明公开了一种只需要使用三次掩模板的制造方法，大大减少了生产成本。

主权项

一种沟槽MOSFET，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，该外延层位于所述衬底之上，并且该外延层的多数载流子浓度低于所述衬底；在所述外延层中的多个沟槽，包括多个第一沟槽和至少一个第二沟槽，该第一沟槽位于有源区，用于形成有源区沟槽栅，该第二沟槽用于形成与栅金属相连的沟槽栅；第一绝缘层，衬于所述沟槽中；导电区域，位于靠近所述第一绝缘层的沟槽中；第二导电类型的体区，该体区位于所述外延层的上部分，且所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；第一导电类型的源区，位于所述体区的上部分，与所述沟槽相邻，所述源区的多数载流子浓度高于所述外延层，且其浓度分布沿所述外延层表面从源体接触沟槽向沟道区呈现高斯分布，所述源区的结深从所述源体接触沟槽向沟道区逐渐变浅；第二绝缘层，位于所述外延层表面之上；沟槽源体接触区，形成于所述源体接触沟槽中，穿过所述第二绝缘层、所述源区，并延伸入所述体区，用以将所述源区、所述体区连接至栅金属；沟槽栅接触区，形成于栅接触沟槽中，穿过所述第二绝缘层并延伸入所述第二沟槽中的导电区域。