[发明专利]显示装置及显示装置的制造方法有效
| 申请号： | 200910164457.5 | 申请日： | 2009-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN101644862A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 海东拓生;宫泽敏夫;境武志 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立显示器 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 许海兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种显示装置，其特征在于，包括：栅电极GT；包含沟道区和在夹着沟道区的区域形成的2个杂质区并控制源电极ST与漏电极DT间的电流的半导体膜S；介于源电极ST等和2个杂质区之间的2个欧姆接触层DS；以及在以成为半导体膜S的大致中心的位置为中心的部分区域上层叠的绝缘膜ES，半导体膜S包含微晶硅或多晶硅而形成，在未形成绝缘膜ES的区域形成2个杂质区，形成2个欧姆接触层DS，将2个杂质区覆盖，形成源电极ST等，将欧姆接触层DS覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种显示装置，其特征在于，包括：在透明基板的上侧层叠的栅电极；在所述栅电极的上侧层叠的、包含沟道区和在夹着该沟道区的区域注入杂质而形成的2个杂质区的、通过该栅电极发生的电场来控制源电极及漏电极间电流的半导体膜，分别介于所述源电极和所述漏电极与所述2个杂质区之间而使它们欧姆接触的2个欧姆接触层；以及在以成为所述半导体膜的大致中心的位置为中心的该半导体膜的部分区域的上侧、与所述半导体膜相接而层叠的绝缘膜，所述半导体膜包含微晶硅或多晶硅而形成，在所述半导体膜的上侧未形成所述绝缘膜部分的区域，形成所述2个杂质区，形成所述2个欧姆接触层，以分别覆盖所述2个杂质区，形成所述源电极及所述漏电极，以分别覆盖所述2个欧姆接触层。
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