[发明专利]一种高纯纳米级氢氧化钴的制备方法无效
申请号: | 200910164606.8 | 申请日: | 2009-07-15 |
公开(公告)号: | CN101955234A | 公开(公告)日: | 2011-01-26 |
发明(设计)人: | 姚瑞竹;张旭;付春平;黎永忠;赵蜀南 | 申请(专利权)人: | 海南金亿新材料股份有限公司 |
主分类号: | C01G51/04 | 分类号: | C01G51/04;B82B3/00 |
代理公司: | 海口兴南知识产权事务有限公司 46002 | 代理人: | 林尤怀 |
地址: | 570312 海南省*** | 国省代码: | 海南;66 |
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摘要: | 本发明公开了一种高纯纳米级氢氧化钴的制备方法,属于电池能源材料制备技术领域。采用均相沉淀法合成氢氧化钴,其制备方法是:将配置一定浓度的硫酸钴水溶液、氢氧化钠水溶液、钴离子络合剂水溶液、试剂A水溶液分别依次按其流量比为1∶0.68~0.74∶0.048~0.054∶0.058~0.064连续输入到带搅拌的反应器中发生反应,加入适量的添加剂水溶液,经过陈化、固液分离、洗涤、烘干即可得到高纯纳米级氢氧化钴产品。该产品不但纯度高、形状规则、粒度小、分布均匀,而且比面积大、具有更大的堆积密度、优异的流动性、分散性和可加工性能,有利于单独加工或采用化学镀方法使氢氧化钴均匀包覆在氢氧化镍粒子表面,提高镍-氢电池的综合性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 高纯 纳米 氢氧化 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高纯纳米级氢氧化钴的制备方法,采用均相沉淀法合成氢氧化钴,其特征是包括以下具体工艺步骤:(一)配置溶液a、配置浓度为0.2~2.5mol/l的硫酸钴水溶液;b、配置浓度为3.0~12.0mol/l的氢氧化钠水溶液;c、配置浓度为5.0~13.0mol/l的钴离子络合剂水溶液;d、配置浓度为2.0~15.0mol/l的试剂A水溶液,试剂A为聚丙烯酰胺、水合联氨或硼氢化钠;e、配置适量的添加剂水溶液,添加剂为二苯胺、抗坏血酸或双硫醚;(二)合成反应将已配置好的硫酸钴水溶液、氢氧化钠水溶液、钴离子络合剂水溶液、试剂A水溶液,分别按其流量比为1∶0.68~0.74∶0.048~0.054∶0.058~0.064连续输入到带搅拌的反应器中,发生化学反应后得到氢氧化钴悬浊液,控制反应温度为20~60℃;(三)陈化将所得的氢氧化钴悬浊液经反应器底阀输入陈化槽,同时将添加剂水溶液按氢氧化钴悬浊液重量比为1∶80~120的比例加入陈化槽并搅拌陈化2~6小时,可得到氢氧化钴陈化液;(四)固液分离、洗涤将所得氢氧化钴陈化液转入固液分离器进行固液分离,用纯净水洗涤固液分离所得的氢氧化钴至pH值不大于7为止;(五)烘干成品将固液分离、洗涤后所得的氢氧化钴放置在干燥箱中于50~95℃烘干40~80小时,既可得到氧化度极低的粉红色的高纯纳米级氢氧化钴产品。
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