[发明专利]高速面电子流横向来回碰撞高电荷离子双束激光发射装置

摘要

本发明的技术方案是采用扁跑道形较高速面电子流横向来回碰撞高电荷离子电离环来将高强度单电荷离子束转变成电离度为μ的高强度高电荷离子束，采用扁跑道形高速面电子流横向来回碰撞高电荷离子激发环来实现高电荷离子双束高强度激光的发射。用改变高电荷离子束直线轨道长度的方法研究高电荷离子束辐射的各种波长光线的强度和高电荷离子束直线轨道长度的函数关系，据此确定高电荷离子束辐射光的相干性和激光波长，并根据全相对论多组态自场方法的准确计算结果，确定辐射激光的离子、能级和跃迁。根据激光波长和功率的不同可以有各种不同的实际用途：从用来获得生物内部结构的高反差全息图像到作为一种新的武器装备。

主权项

高速面电子流横向来回碰撞高电荷离子双束激光发射装置，其特征是：它由一个较低速面电子流横向来回碰撞单电荷离子束注入段(A)、一个通过较低速面电子流横向来回碰撞单电荷离子束注入段(A)的单电荷离子束输出输入通道(6、7、7’)和较低速面电子流横向来回碰撞单电荷离子束注入段(A)相连接的扁跑道形较高速面电子流横向来回碰撞高电荷离子电离环(B)、一个通过扁跑道形较高速面电子流横向来回碰撞高电荷离子电离环(B)的高电荷离子束输出输入通道(18、25)和扁跑道形较高速面电子流横向来回碰撞高电荷离子电离环(B)相连接的扁跑道形高速面电子流横向来回碰撞高电荷离子激发环(C)、以及它们所需的动力、电器、真空等附属设备组成，较低速面电子流横向来回碰撞单电荷离子注入段(A)和扁跑道形较高速面电子流横向来回碰撞高电荷离子电离环(B)安装在一个密封的抽成真空的扁长方体大电离箱(38)中，扁跑道形高速面电子流横向来回碰撞高电荷离子激发环(C)安装在另一个固定在扁长方体大电离箱(38)上面的密封的抽成真空的扁长方体大激发箱(39)中，它们所需的动力、电器、真空等附属设备都安装在另一个位于扁长方体大电离箱(38)下面或旁边的可装卸的扁长方体大附件箱(40)中。