[发明专利]光电二极管装置的制造方法无效
| 申请号： | 200910164700.3 | 申请日： | 2009-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN101969081A | 公开（公告）日： | 2011-02-09 |
| 发明（设计）人： | 吴展兴;涂永义;吴善华 | 申请（专利权）人： | 太聚能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种光电二极管装置的制造方法。本发明的方法包含：提供包含基板及外延层的晶片，其中基板包含第一表面及第二表面，且外延层形成于第一表面上；形成第一导电层于基板的第二表面；形成图案化导电层于外延层之上；以及以反应性离子蚀刻工艺并使用氩气及氦气做为蚀刻剂而蚀刻图案化导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 光电二极管 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种光电二极管装置的制造方法，包含：提供晶片，包含基板及外延层，其中该基板包含第一表面及第二表面，且该外延层形成于该第一表面上；形成第一导电层于该基板的该第二表面；形成图案化导电层于该外延层上；以及以反应性离子蚀刻工艺并使用氩气及氦气做为蚀刻剂而蚀刻该图案化导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
