[发明专利]制造面发射激光器及其阵列的方法和光学设备有效
| 申请号： | 200910165013.3 | 申请日： | 2009-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN101640375A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 内田达朗;井久田光弘;竹内哲也 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/18 | 分类号： | H01S5/18;H01S5/183;H01S5/42;G03G15/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供制造面发射激光器及其阵列的方法和光学设备。该光学设备包括由该方法制造的面发射激光器阵列。本发明提供了一种用于制造面发射激光器的方法，该面发射激光器包括提供在层叠的半导体层上的表面起伏结构，该方法包含以下步骤：在同一个工艺中将用于限定台面结构的第一图案和用于限定该表面起伏结构的第二图案转移到第一介电膜；以及在第一图案和第二图案已经被转移到其上的该层叠的第一介电膜以及半导体层的表面上形成第二介电膜。因此，可以将表面起伏结构的中心位置与电流限制结构的中心位置高精度地对准。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 发射 激光器 及其 阵列 方法 光学 设备 | ||
【主权项】：
1、一种制造面发射激光器的方法，所述面发射激光器包括提供在层叠的半导体层上的表面起伏结构，所述方法包含以下步骤：在所述层叠的半导体层上形成第一介电膜；在同一个工艺中将用于限定台面结构的第一图案和用于限定所述表面起伏结构的第二图案转移到所述第一介电膜；通过使用所述第一图案和所述第二图案已经被转移到其上的所述第一介电膜将所述第一图案和所述第二图案转移到所述层叠的半导体层的表面；在所述第一图案和所述第二图案已经被转移到其上的所述第一介电膜以及所述半导体层上形成第二介电膜；去除在所述第一图案已经被转移到其上的所述半导体层上所形成的所述第二介电膜；以及在已经去除所述第二介电膜的部分处形成所述台面结构。
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