[发明专利]用于电浆蚀刻制程的气体扩散板有效
| 申请号： | 200910165099.X | 申请日： | 2009-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101989536A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | 王振斌 | 申请（专利权）人： | 瀚宇彩晶股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 李树明 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于电浆蚀刻制程的气体扩散板，用以对一基板进行蚀刻。该气体扩散板具有数个边界与一中心，在气体扩散板上邻近边界处，各界定有一边界区域，该等边界区域的宽度由边界朝向中心逐渐缩小，其中气体扩散板上设置有数个开口，是用以将蚀刻气体通入反应室，该等开口基本上仅设置在除了边界区域以外的气体扩散板上。本发明能够提高蚀刻的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 蚀刻 气体 扩散 | ||
【主权项】：
一种用于电浆蚀刻制程的气体扩散板，用以对一基板进行蚀刻，其特征在于：该气体扩散板具有数个边界与一中心，在该气体扩散板上邻近该等边界处，各界定有一边界区域，该等边界区域的宽度由该等边界朝向该中心逐渐缩小，其中该气体扩散板上设置有数个开口，是用以将蚀刻气体通入一反应室内，该等开口基本上仅设置在除了该等边界区域以外的气体扩散板上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
