[发明专利]场效应晶体管

摘要

优化支撑性基板的机械特性与有机场效应晶体管的绝缘体层，由此在有机场效应晶体管中获得高迁移率，高导通电流和低漏电流，以及高电流开/关比。场效应晶体管包括提供于支撑性基板(1)上的绝缘体层(3)，被绝缘体层(3)隔开的栅电极(2)和有机半导体层(4)，如此布置使之与有机半导体层(4)接触的源电极(5)和漏电极(6)，其中在绝缘体层屈服点的伸长率ε1(％)大于在支撑性基板屈服点的伸长率ε2(％)。所提供的良好柔韧性，可以限制为减小漏电流而施加的应力可能导致的裂缝，进而获得高迁移率，高导通电流和低漏电流，以及高电流开/关比。

主权项

1.一种场效应晶体管，包括绝缘体层，被绝缘体层隔开的栅电极和有机半导体层，如此布置使之与有机半导体层接触的源电极和漏电极，及包含聚合物的支撑性基板，其中在绝缘体层屈服点的伸长率ε1(％)大于在支撑性基板屈服点的伸长率ε2(％)，且在支撑性基板屈服点的伸长率ε2(％)至少为3.1(％)。