[发明专利]氮化物半导体发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910165303.8 | 申请日： | 2009-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN101645482A | 公开（公告）日： | 2010-02-10 |
| 发明（设计）人： | 笔田麻佑子 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 葛 青 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氮化物半导体发光元件及其制造方法，其中，该氮化物半导体发光元件依次包括：由电介体构成的反射层、透明导电层、p型氮化物半导体层、发光层以及n型氮化物半导体层。透明导电层优选由导电性金属氧化物或n型氮化物半导体构成，由电介体构成的反射层优选具有高折射率电介体构成的层与低折射率电介体构成的层交互叠层而成的叠层结构。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，依次包括：由电介体构成的反射层、透明导电层、p型氮化物半导体层、发光层及n型氮化物半导体层。
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