[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200910165593.6 | 申请日： | 2005-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN101620825A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 木村肇 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G09G3/32 | 分类号： | G09G3/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张亚宁;刘春元 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有电流输入型像素的半导体装置，其中提高了信号写入速度并减小了相邻晶体管之间变化的影响。当进行设定操作时(写入信号)，串联连接的两个晶体管之一的源-漏电压变得非常低，因而对另一晶体管进行设定操作。在输出操作中，两个晶体管作为多栅极晶体管工作，因此，输出操作中的电流值可以小。换言之，设定操作中的电流可以大。因此，寄生在布线等上的交叉电容和布线电阻的效应影响不大，因此可以迅速进行设定操作。由于在设定操作和输出操作中使用一个晶体管，减小了相邻晶体管之间变化的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，包括第一晶体管；第二晶体管；第一开关，电连接到第一晶体管的第一端；第二开关，电连接到第一晶体管的栅极端和第二晶体管的栅极端；第三开关，电连接到第二晶体管的第一端；以及电容器，电连接到第一晶体管的栅极端和第二晶体管的栅极端。
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