[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法

摘要

本发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：高耐压晶体管(128)；栅电极(110)，该栅电极形成在沟道区(170)上；第一导电类型源区(116a)和第一导电类型漏区(116b)，该第一导电类型源区(116a)形成在沟道区(170)的一侧，该第一导电类型漏区(116b)形成在沟道区(170)的另一侧；以及漂移区(172)，该漂移区(172)设置在源区(116a)和漏区(116b)之间并且具有超结结构，在该超结结构中，第一导电类型杂质扩散区和第二导电类型杂质扩散区沿着栅电极(110)的栅宽度方向以恒定宽度的规则间隔交替布置。从平面图看，栅电极具有梳状结构，该梳状结构包括覆盖漂移区(172)的第二导电类型杂质扩散区的梳齿。

主权项

1.一种包括场效应晶体管的半导体器件，所述场效应晶体管包括：衬底；栅电极，所述栅电极形成在所述衬底的沟道区上；第一导电类型源区和第一导电类型漏区，所述第一导电类型源区和所述第一导电类型漏区在所述衬底表面之上，所述第一导电类型源区形成在所述沟道区的一侧，所述第一导电类型漏区形成在所述沟道区的另一侧；以及漂移区，所述漂移区设置在所述沟道区和所述漏区之间，并且具有超结结构，在所述超结结构中，第一导电类型杂质扩散区和第二导电类型杂质扩散区沿着所述栅电极的栅宽度方向以恒定宽度的规则间隔交替布置，其中，从平面图来看，所述栅电极被形成为梳状结构，所述梳状结构包括覆盖所述漂移区的所述第二导电类型杂质扩散区的梳齿。