[发明专利]像素结构及其制造方法

摘要

一种像素结构的制造方法。首先，提供一具有多个像素区域的基板。接着，于基板上形成共享电极，其环绕于各像素区域的周围。然后，于共享电极上形成储存电容电极。继之，形成第一保护层，覆盖储存电容电极与共享电极。再来，于各像素区域中形成扫描线以与栅极。接着，形成栅绝缘层以与栅绝缘层上的半导体层。再来，于各像素区域中形成数据线、源极与漏极。接着，于基板上形成第二保护层，并于漏极上方的第二保护层中形成接触窗开口。然后，于各像素区域中形成像素电极，而像素电极是藉由接触窗开口与漏极电性连接。

主权项

一种像素结构的制造方法，其特征在于，包括：(A)提供一基板，具有阵列排列的多个像素区域；(B)于该基板上形成一共享电极，环绕于各该像素区域的周围；(C)于该共享电极上形成一储存电容电极；(D)形成一第一保护层，覆盖该储存电容电极与该共享电极；(E)于各该像素区域中形成一扫描线以及一栅极；(F)形成一栅绝缘层，覆盖该扫描线及该栅极；(G)于该栅极上方的该栅绝缘层上形成一半导体层；(H)于各该像素区域中形成一数据线、一源极与一漏极，而该源极与该漏极形成于该半导体层的两侧；(I)于该基板上形成一第二保护层，覆盖该数据线、该源极与该漏极；(J)于该漏极上方的该第二保护层中形成一接触窗开口，而曝露出该漏极；以及(K)于各该像素区域中形成一像素电极，该像素电极是藉由该接触窗开口与该漏极电性连接。