[发明专利]半导体装置及制造具有金属栅极堆叠的半导体装置的方法无效
| 申请号： | 200910166436.7 | 申请日： | 2009-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN101685780A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 益冈有里;黄焕宗 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/49 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置及制造具有金属栅极堆叠的半导体装置的方法，其中该方法包括：于一半导体基底上形成一高介电常数介电材料层；于该高介电常数介电材料层上形成一第一金属层；于该第一金属层上形成一硅层；图案化该硅层、第一金属层及高介电常数介电材料层以形成具有一栅极长度小于50nm的栅极堆叠；以及进行硅化工艺以将该硅层完全转变成一硅化电极。本发明提供具有金属栅极堆叠的半导体装置，其中当硅层转变成硅化层时，金属层混合硅层，且在栅极堆叠中造成应力。本发明中，应力与功函数可分开设计并适当的调整，本发明也消除了一般方法中由应力对高介电常数介电材料与基底所造成的损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 具有 金属 栅极 堆叠 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造具有金属栅极堆叠的半导体装置的方法，包括：于一半导体基底上形成一高介电常数介电材料层；于该高介电常数介电材料层上形成一第一金属层；于该第一金属层上形成一硅层；图案化该硅层、第一金属层及高介电常数介电材料层以形成具有一栅极长度小于50nm的栅极堆叠；以及进行硅化工艺以将该硅层完全转变成一硅化电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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