[发明专利]微机电的结构及制造方法有效
| 申请号： | 200910166465.3 | 申请日： | 2009-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN101993033A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 邱奕翔;叶力垦;刘政谚;陈晓翔 | 申请（专利权）人： | 微智半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 中国台湾新竹市光复*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种微机电结构，在基板上具有微结构与蚀刻道。微结构为金属层及导电层相连形成，且以氧化硅包覆在微结构周围，并在氧化硅顶端具有阻挡层。蚀刻道为金属层与氧化层交互堆叠而成，且氧化层两边具有通道。其中，微结构的阻挡层与蚀刻道最上层的金属层非同一平面；借此在利用蚀刻移除蚀刻道的金属层时，不会同时将微结构的金属层移除。本发明还提供一种微机电制造方法，以湿式蚀刻法移除前述蚀刻道中的金属层，再以震荡或蚀刻将蚀刻道中残余的氧化层移除，并利用深反应离子蚀刻及背蚀刻悬浮微结构，以形成蚀刻道壁面平整、无残留的悬浮微机电结构。 | ||
| 搜索关键词： | 微机 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种微机电的制造方法，其特征在于，该方法的步骤包含：a.湿式蚀刻法移除一基板上的一微结构旁的一蚀刻道中多层金属层，其中该些金属层与氧化硅交互堆叠，且氧化硅两边具有一通道；b.超音波震荡去除该蚀刻道中残留的氧化硅；c.利用深反应离子蚀刻法蚀刻该基板；以及d.对该基板进行背蚀刻，以形成一悬浮式微结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于微智半导体股份有限公司，未经微智半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910166465.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
