[发明专利]一种扩散铝的方法有效
| 申请号： | 200910166483.1 | 申请日： | 2009-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN101640172A | 公开（公告）日： | 2010-02-03 |
| 发明（设计）人： | 张明;蒋谊;彭文华;雷云;刘旭君 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 412001*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种扩散铝的方法，包括：清洗多片硅陪片和具有硼扩散层的多片硅晶片；为每片硅晶片具有硼扩散层的表面配置硅陪片，并且叠片式排列所述多片硅晶片和多片硅陪片；将第一铝源壶、所述叠片式排列的多片硅晶片和多片硅陪片、第二铝源壶依次装入石英管；用石英封头封住所述石英管的管口，对整个石英管执行闭管扩铝工艺。本发明提供的扩散铝的方法，通过为具有硼扩散层的硅晶片使用陪片，使得在所述硅晶片上扩散铝能够顺利进行，解决了现有技术无法直接在具有硼扩散层的硅晶片上扩散铝的工艺障碍。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 扩散 方法 | ||
【主权项】：
1、一种扩散铝的方法，其特征在于，包括：清洗多片硅陪片和具有硼扩散层的多片硅晶片；为每片硅晶片具有硼扩散层的表面配置硅陪片，并且叠片式排列所述多片硅晶片和多片硅陪片；将第一铝源壶、所述叠片式排列的多片硅晶片和多片硅陪片、第二铝源壶依次装入石英管；用石英封头封住所述石英管的管口，对整个石英管执行闭管扩铝工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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