[发明专利]半导体装置

摘要

一种半导体装置。在具有两层电极结构的分立式双极型晶体管中，在第二层基极电极下方配置第一层发射极电极及基极电极。相比第二层电极，第一层电极厚度薄。自第二基极电极下方的动作区域(发射极区域)经由第一层发射极电极而流向第二层发射极电极的电流路径，相比电流向大致正上方被拾取的第二发射极电极下方的电流路径，电阻增高，由此存在芯片内的电流密度不均匀的问题。本发明的半导体装置将第一基极电极及第一发射极电极全部形成为长条状并交替平行配置，相比第二基极电极的面积，扩展第二发射极电极的面积。由此，因自发射极区域经由第一发射极电极向大致正上方一直被拾取到第二发射极电极的电流路径增加，故可避免芯片整体电流密度不均匀。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：一导电型半导体基板，其构成集电极区域；逆导电型基极区域，其设于所述基板上；一导电型发射极区域，其设于所述基极区域表面；第一绝缘膜，其设于所述基极区域及所述发射极区域上；第一基极电极，其与多个所述基极区域接触；第一发射极电极，其与所述发射极区域接触；第二绝缘膜，其设于所述第一基极电极及所述第一发射极电极上；平板状的第二基极电极，其配置于所述第二绝缘膜上；以及平板状的第二发射极电极，其配置于所述第二绝缘膜上且与所述第二基极电极邻接，所述第二发射极电极设于所述第一基极电极及所述第一发射极电极上且与所述第一发射极电极接触，所述第二基极电极具有比所述第二发射极电极小的面积，且设于所述第一基极电极及所述第一发射极电极上并与所述第一基极电极接触。