[发明专利]晶片划片期间抑制腐蚀和去除表面污染物的方法和其采用的组合物有效
| 申请号： | 200910166969.5 | 申请日： | 2009-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN101701156A | 公开（公告）日： | 2010-05-05 |
| 发明（设计）人： | T·Q·科利尔;C·A·洛塔;D·B·伦尼;R·拉马默蒂;M·B·劳;D·C·坦博利 | 申请（专利权）人： | 气体产品与化学公司;CV公司 |
| 主分类号： | C09K13/00 | 分类号： | C09K13/00;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 段晓玲;韦欣华 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在采用锯切划片晶片的过程中抑制污染残渣或颗粒的粘附，能充分减小或消除暴露表面的腐蚀。使用无氟水溶液组合物，该组合物包括二羧酸和/或其盐；羟基羧酸和/或其盐或含氨基的酸；表面活性剂和去离子水。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 划片 期间 抑制 腐蚀 去除 表面 污染物 方法 采用 组合 | ||
【主权项】：
1.划片溶液(用于晶片划片的溶液)，能有效抑制污染残渣在暴露的金属化区域的粘附和暴露金属化区域的腐蚀，包括：至少一种二羧酸和/或其盐；至少一种羟基羧酸和/或其盐或含氨基的酸；表面活性剂，选自以下：磷酸酯支链醇乙氧基化物型表面活性剂；烷基二苯醚二磺酸型表面活性剂，其结构式为：![]()
其中R为具有10-12个碳原子的烷基；十二烷基苯磺酸(DDBSA)型表面活性剂，其结构式为：![]()
仲烷基磺酸型表面活性剂，其结构式为：![]()
其中10＜m+n＜14；以及其组合；和余下的基本为去离子水；其中划片溶液不含氟，pH为约1-约4。
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