[发明专利]高温粘结组合物,基材的粘结方法,和3-D半导体器件有效

专利信息
申请号: 200910167032.X 申请日: 2009-08-14
公开(公告)号: CN101649177A 公开(公告)日: 2010-02-17
发明(设计)人: 滨田吉隆;八木桥不二夫;浅野健 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: C09J183/00 分类号: C09J183/00;C09J5/00;H01L21/50
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 任宗华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种高温粘结组合物,它包括硅基础聚合物作为热固性粘合剂。由含硅烷化合物的缩合物前体的脱水缩合获得硅基础聚合物,其中所述硅烷化合物具有通过由脂族烃基、杂环或芳烃基组成的交联键连接的至少一对硅原子,和具有至少三个羟基和/或可水解基团。相对于在所述硅基础聚合物内的所有硅原子,具有与由脂族烃基、含杂环的基团或含芳环的烃基组成的交联键的直接键合的那些硅原子的存在比例为至少90mol%。
搜索关键词: 高温 粘结 组合 基材 方法 半导体器件
【主权项】:
1.一种高温粘结组合物,它包括硅基础聚合物作为热固性粘合剂,其中由缩合物前体或其混合物的脱水缩合,获得所述硅基础聚合物,所述缩合物前体包括具有通过由任选地含环状结构的1-10个碳原子的直链或支链或环状脂族烃基,4或8个碳原子的含杂环的基团,或6-12个碳原子的含芳环的烃基组成的交联键连接的至少一对硅原子的硅烷化合物,具有至少三个羟基和/或可水解基团的硅烷化合物,和相对于在所述硅基础聚合物内的所有硅原子,具有与由脂族烃基、含杂环的基团或含芳环的烃基组成的交联键的直接键合的那些硅原子的存在比例为至少90mol%。
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