[发明专利]形成半导体元件及其栅极结构的方法有效
| 申请号： | 200910167343.6 | 申请日： | 2009-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN101924035A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 叶明熙;林舜武;陈启群;陈嘉仁;陈薏新;陈建豪;赵元舜;黄国宾 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/31;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供形成半导体元件及其栅极结构的方法，其包括多种含有高介电常数的栅极介电层的图案化金属栅极结构的形成方法。在一实施例中，可溶硬掩模层可作为图案化金属栅极的掩模单元。通过水或光致抗蚀剂显影液可将可溶硬掩模自基板上移除。在一实施例中，硬掩模层包含高介电常数的介电材料。在另一实施例中，保护层形成于光致抗蚀剂图案下。在剥除光致抗蚀剂的步骤中，保护层可保护基板上的一层或多层结构。与公知技术相较，上述方法改善光致抗蚀剂层的附着力。公知干灰化和/或湿蚀刻等工艺在移除光致抗蚀剂层和/或硬掩模层时，可能损伤金属栅极和/或高介电常数的栅极介电层的问题可通过上述方法改善。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 元件 及其 栅极 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体元件的方法，包括：形成一金属层于一半导体基板上；形成一可溶硬掩模层于该金属层上，其中该可溶硬掩模层是溶于水或显影液中；图案化该可溶硬掩模层以形成一图案单元；以及以该图案单元图案化该金属层，以形成至少部分的金属栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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