[发明专利]半导体装置

摘要

本发明涉及一种半导体装置。以包围被施加高电位的感测电阻(9)和形成第一逻辑电路(26)的高电位逻辑区域(25)周围的方式，隔着分离区域(30)形成RESURF区域(24)。在RESURF区域(24)外侧形成被施加相对接地电位要驱动第二逻辑电路(22)所需的驱动电压电平的第二逻辑电路区域。在RESURF区域(24)中，沿着内周形成场效应晶体管(T)的漏极电极(12)，且沿着外周形成源极电极(10)。此外，与感测电阻(9)连接的多晶硅电阻(4)从内周侧向外周侧以螺旋形形成。从而，减少了电路形成的区域的占有面积，实现半导体装置的小型化。

主权项

一种半导体装置，其中具备：第一逻辑电路区域，该第一逻辑电路区域形成在第一导电型的半导体衬底的主表面上，并包含以第一驱动电压来驱动并控制规定开关元件的动作的第一逻辑电路和第一电阻，被施加第一电压作为偏压；环形区域，该环形区域在所述半导体衬底的主表面形成为环形，以从周向包围所述第一逻辑电路区域，并包含分别与所述第一电阻电连接的场效应晶体管和第二电阻；分离区域，该分离区域形成在所述第一逻辑电路区域与所述环形区域之间，对所述第一逻辑电路区域与所述环形区域进行电气分离；以及第二逻辑电路区域，该第二逻辑电路区域形成在位于所述环形区域外侧的所述半导体衬底的主表面上，并包含分别与所述场效应晶体管和所述第二电阻电连接且以第二驱动电压来驱动的第二逻辑电路，被施加比所述第一电压低的第二电压作为偏压，基于所述场效应晶体管导通而漏极电流流过所述第一电阻时产生的规定电位差，所述第一逻辑电路控制所述开关元件的动作，通过探测流过所述第二电阻的电流，所述第二逻辑电路求出为使一定的电流流过而必须对所述场效应晶体管的栅极施加的栅极电压，该一定的电流为所述漏极电流，将所述栅极电压施加在所述栅极上，所述环形区域将被施加所述第一电压的所述场效应晶体管的漏极相对于所述第二逻辑电路区域电气分离，所述分离区域使所述第一逻辑电路区域至少在所述第一驱动电压分量上与被施加所述第一电压的所述场效应晶体管的漏极电气分离。